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            半導體芯片可靠性檢測
                 高溫存儲試驗、溫度循環試驗、溫濕度試驗等。
           

          可靠性測試
                 EOS過度電性應力/涌浪測試一般件、ESD(HBM)一般件、ESD(MM)一般件、ESD(Latch-up)一般件、Non socket CDM Orion CDM 一般件、System-level ESD test 一般件、TLP ESD test 一般件、UBHAST 非偏壓高加速壽命試驗、TCT 溫度循環試驗、BLT 偏壓壽命試驗、HTS 高溫貯存試驗 0~ 300c、LTS 低溫貯存試驗、THB 溫濕度貯存偏壓試驗、PCT 高溫水蒸汽壓力試驗、HAST 高加速壽命試驗、Pre-condition-not include SAT、Solderability 沾錫試驗、PTC 電源溫度循環、SAT 一般件。
           
          服務項目 描述
          芯片失效分析 EMMI 失效點定位
          OBIRCH 擊穿路徑成像
          FIB 電路修改:0.55 um以上、電路修改:0.11-0.28 m及以上工藝(鋁制程)、電路修改:0.11-0.18 um (銅制程)、電路修改: 55-90 nm、電路修改:28-40 nm、切割:IC橫截面、切割:TEM樣品制備
          SEM 電子成像
          EDX 元素分析
          DECAP 金線、銅線、合金
          OM 高清光學顯微成像,可拼圖
          AFM(C-AFM) 材料微觀形貌、大小、厚度和粗糙度表征;表面電勢、導電性、彈性模量、壓電系數
          XPS 元素種類、化學價態及相對含量鑒別;元素或化學態表面分布分析
          TEM 材料微區觀察與分析
          FIB+TEM 透射樣品制祥+觀察
          XRD 金屬和非金屬定性定量分析
          Raman 物質結構鑒定、分子相互作用分析
          橢偏儀 各種介質膜厚度及折射率
          FT-IR 樣品成分、結構鑒定
          芯片電學測試 靜態特性參數 靜態參教、特性曲線(Vd-Id, ld-Vg)
          動態特性參數 等效電容Ciss, Cosg, Crss;柵極等效電阻Rg;柵極電荷特性Qg;阻性開關特性td(on),td(off),tr, tf;感性開關特性td(on), td (off),tr, tf;二極管反向恢復特性trr, Qrr;短路耐量(時間)
          熱阻特性 穩態熱阻、瞬態熱阻
          抗靜電雷擊測試 二極管液涌測試儀(正向)、二極管液浦測試儀(反向)、雷擊浪涌發生器、峰值電壓測試設備、雷擊浪涌測試設備、TLP

          手???機:18036862806

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